系统可用于开发纳米级的单层及多层功能膜和复合膜,可用于制备Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta等金属薄膜，也可以用于制备氧化铝、氧化钛、氧化锆、ITO、等非金属薄膜。

主要用于半导体器件制备过程中的金属、金属氮化物、金属氧化物等薄膜的沉积。 

主要由溅射沉积室、磁控溅射靶、溅射电源、旋转加热基片台、加热系统、真空获得系统、工艺气路、安装机台、真空测量、水冷却及报警和控制系统等部分组成。